Intel: Vývoj 7 nm jde překvapivě dobře
Nevíme, do jak velké míry se naši čtenáři vyznají v moderních technologiích, nicméně ve zkratce lze konstatovat, že rychlost vývoje nového hardwaru souvisí s rychlostí vývoje lepších a především menších tranzistorů. Ostatně podle toho poznáte i stáří vaší sestavy. Zařízení z roku 2010 používají 32nm arichtekturu, v roce 2012 přišlo 22 nm, 2014 byl rokem 14nm techlogie a v současné době převažuje 10 nm. A ani to už nestačí. I když například Intel stále bojuje se zavedením nových 10 nm procesorů, musí myslet na to, že už se vytváří tranzistory s maximální velikostí 7 nm.
Tolik v krátkosti. Dá se říct, že dlouhá léta zastával neotřesitelnou pozici na tomto trhu právě Intel. Jenže už nasazení 14nm technologie přišlo oproti plánům později a tento časový skluz se evidentně přenesl do výroby 10nm čipů. Ta přichází fakticky ve chvíli, kdy konkurence zavádí čipy s technologií 7 nm, a i když se Intel často chlubil vyšším výkonem svých čipů, je otázka, jestli ten bude v tomto případě stačit na to, aby dokázal umazat ztrátu prakticky jedné celé vývojové generace.
Jenže zatímco na procesory označované jako Cannon Lake stále čekáme, Intel už samozřejmě 7nm technologii vyvíjí. Hovořil o ní Venkata Renduchintala, technický ředitel společnosti. Na konferenci Nasdaq potvrdil, že 10 nm a 7 nm mají své vlastní nezávislé týmy, a že vývoj novější generace, kterou úspěšně zavádí například Samsung, TSMC nebo GlobalFoundries, jde možná až překvapivě dobře. „Sedm nanometrů pro nás vytváří dedikovaný tým, a vážně máme radost, jak velké – možná až překvapivě velké – kroky děláme,“ říká.
Intel s 10 nm zaspal, a pokud se chce navrátit na trůn s čipy, musí se snažit předehnat svou konkurenci. Ta už nicméně 7 nm pomalu ale jistě zavádí, zatímco Intel stále ještě řeší některé problémy. Renduchintala nicméně podotýká, že z vývoje 10 nm se Intel výrazně poučil a přenáší do vývoje nových čipů mnoho poznatků, které ji udělají lepší: „Našli jsme lepší poměr mezi hustotou tranzistorů, energií a výkonem,“ prohlásil v minulých dnech v Londýně.
Jak se ukázalo, obtíže nastaly již v roce 2014, když se definovala technologie 10 nm. Intel narazit na problém s výrobou a skládáním jednotlivých tranzistorů, neboť tehdejší výrobní proces kalkuloval s použitím tzv. technologie DUVL s lasery pracujícími na 193nm vlnové délce. Nová litografická technologie EUVL je mnohem přesnější nový laser má vlnovou délku pouhých 13,5 nm. To umožňuje šablonovat tranzistory mnohem přesněji bez případných komplikací.
Díky tomu technický ředitel doufá, že se Intel vrátí k dodržování zákona svého tehdejšího spoluzkaladatele. Gordon Moore už v šedesátých letech předpověděl, že se počet tranzistorů i jejich výkon za každé dva roky zdvojnásobí. Tento zákon předpověděl původně na deset let, ale platí až dosud. Pomalu ale přicházíme do doby, kdy narazíme na fyzikální limitace. Vše se totiž odvíjí od vlastnosti křemíku, který se v čipech používá – jeho atom dosahuje šířky 0,24 nm, a při použití pěti vrstev začíná být nestabilní. Předpokládá se, že na tuto hranici lidstvo narazí do roku 2025. Otázkou je, zda se jej podaří překonat, hovoří se například o použití jiných prvků, nebo případně zcela nových technologií.
